10.3969/j.issn.1004-4507.2004.05.012
动态随机存取记忆体的深槽电容器制造方法
首先对深槽电容器应用于4Mb至256Mb动态随机存取记忆体的发展做简要的回顾,以便于读者了解不同时期的记忆体元件设计概念及关键技术.后半部分以示意图方式解析256Mb深槽电容器制造工艺流程,使读者进一步了解先进记忆体产品制造上的主要挑战.
深槽、电容器、动态随机存取记意体、埋藏式连接器、埋藏式基板
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TP3;TN9
2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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