10.3969/j.issn.1004-4507.2004.04.007
单管卧式热壁型PECVD设备
介绍了一种用于氮化硅薄膜生长的等离子增强化学气相淀积设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制.
PECVD、射频、均匀性、生产率、氮化硅
33
TN304.055(半导体技术)
2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
23-25,50
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10.3969/j.issn.1004-4507.2004.04.007
PECVD、射频、均匀性、生产率、氮化硅
33
TN304.055(半导体技术)
2004-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
23-25,50
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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