10.3969/j.issn.1004-4507.2004.02.008
光学参数配置对ArF光刻性能影响研究
针对分辨力100 nm的ArF光刻机,在环形照明和四极照明下,对4种曝光图形结构光刻性能进行了仿真研究.仿真结果表明,如果光刻物镜在加工装调后的光波像差为6 nm,杂散光为2%,工件台运动标准偏差为8 nm,曝光量控制在10%,△CD≤±10%CD,利用四级照明,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5 μm)实现满足器件要求的100 nm密集线条、半密集线条的光刻成像.当曝光剂量更精确控制到7%,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5 μm)实现满足器件要求的100nm孤立线条的光刻成像.
光刻、仿真、ArF光刻机、光学系统
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TN350.7(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划
2004-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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