300 mm圆片后抛光清洗--满足纳米微粒去除的挑战
随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格.当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(＜100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm2.传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战.单片清洗澡机在硅片表面产生更加均匀的声强分布,更有效地去除了纳米微粒.介绍了湿式批量洗洗机和单片清洗澡机的兆声清洗效果.湿式批量浸泡术和兆声能量单片清洗机结合可以有效地去80 mm磨料微粒.
300 mm圆片、湿式批量清洗、兆声单片清洗、纳米微粒去除
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TN305.2(半导体技术)
2004-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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