10.3969/j.issn.1004-4507.2003.04.005
在集成电路量产中减少氧化膜CMP(化学机械研磨)的缺陷
在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一.实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息.例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;只有在先进的检测设备下才可见的轻微、连续的划伤与与研磨剂有关.对常见缺陷进行分类,并提供一些可见的缺陷产生机制,同时也讨论了如何通过日常检测来监视真正产品上的缺陷.
氧化膜CMP、缺陷、划伤、超大规模集成电路
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TN305.2(半导体技术)
2003-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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