10.3969/j.issn.1004-4507.2000.02.003
深亚微米光学光刻设备制造技术
相对于其它"后光学"光刻技术,在0.13μm甚至0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的吸引力.随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学光刻设备正面临着越来越严重的挑战.论述了深亚微米光学光刻设备的技术指标和面临的技术困难,对其中一些关键的技术解决方案进行了分析.
193nm光学光刻、157nm光学光刻、透镜、步进扫描
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TN305.7(半导体技术)
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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