10.3969/j.issn.1672-5468.2023.04.021
碲化铌展现下一代存储器材料前景
据报道, 美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途. 利用这项技术, 他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌, 它具有约 447 ℃(起始温度) 的超低熔点. 这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上.
存储器、下一代
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TP333;TN915.04;TN402
2023-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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