10.3969/j.issn.1672-5468.2023.02.006
静电放电对GaAs基光通信LED的影响
GaAs基LED具有体积小、寿命长、价格低廉、工艺成熟和发光效率高等优点,因此在中短距离光纤通信系统中具有广阔的应用前景,其可靠性也日益受到关注.由于LED是静电敏感型器件,静电放电损伤是LED常见的失效现象之一.为了研究LED的静电放电失效现象和特征,对GaAs基光通信LED进行10个负向脉冲、充电电压为1 kV的人体模型静电放电实验,并研究了静电损伤对其电学特性的影响、失效区域的光发射和TEM微观形貌3个方面的内容,为判别静电失效提供了物理及工程上的判据.
发光二极管、静电放电、失效分析、透射电子显微镜
41
TN306;TN31(半导体技术)
2023-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
28-32
