10.3969/j.issn.1672-5468.2023.02.005
电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究
受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装(WLC-SP).由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理.介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考.
电池保护电路、金属氧化物半导体场效应晶体管、晶圆级芯片规模封装、失效分析、失效定位
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2023-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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