10.3969/j.issn.1672-5468.2022.04.004
Low-K芯片的激光开槽工艺质量稳定性控制
基于低介电常数(Low-K)材料覆盖的晶圆加工需求和激光开槽工艺质量控制特点,开展Low-K材料激光开槽工艺技术质量稳定性研究.以开槽宽度、槽壁夹角、开槽深度和底部波动距离表征槽型形貌特征,定义了激光开槽工艺质量评价准则.针对扫描速度、激光频率、单脉冲能量、扫描次数和脉宽5个因素以正交试验法开展Low-K芯片激光开槽槽型质量波动分析,得出影响槽型质量波动的主次顺序依次为激光频率>单脉冲能量>扫描速度>扫描次数>脉宽.提出了一套评定系统用于识别工艺质量最优参数,建立激光开槽工艺质量稳定性控制策略模型.经实例验证控制策略模型具备可行性,对Low-K材料激光开槽设备在工艺实施过程中的质量稳定性控制提供了有效的技术途径.
工艺质量、质量稳定性、激光开槽
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TN305.1(半导体技术)
2022-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
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