10.3969/j.issn.1672-5468.2022.02.014
嵌入MEMS微流道的硅转接基板键合工艺研究
以嵌入MEMS微流道的硅转接基板为研究对象,对影响微流道结构键合的回流工艺参数进行了研究,解决了微流道结构键合强度等问题.其中,探讨了助焊剂或RF等离子、回流时间、回流炉温区个数和压力等因素对回流后微流道结构性能的影响.研究表明:对待回流样件进行RF等离子处理,并在盖板上施加0.22?N压力后,采用100?s回流时间;在10温区的回流炉中完成回流后,其焊接质量达到最优,平均焊接强度值为14.83?kg;并且边缘焊接完整,可以满足微流道结构完全密封的要求,因而不会发生液体泄漏、微流道结构变形和堵塞等问题.
微流道、回流焊、RF等离子、回流时间、回流温区
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
2022-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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