10.3969/j.issn.1672-5468.2021.05.008
锁相红外热成像与FIB在失效分析中的联用
锁相红外热成像技术是用来定位集成电路热部位的一种有效的失效分析手段,此技术可用来定位集成电路的低阻、高阻和功能失效.定位到热点后,要用物理分析方法如平面研磨、剖面制样手段验证热点是否为失效点.使用锁相红外热成像技术对小热点定位有一定的误差,联用FIB系统对电路进行剖面切割制样,找出失效根因,既能定位热点区域较小的失效点,又能避免化学处理对失效点的破坏.对集成电路阻值增大和漏电流偏大两种失效模式案例进行了分析,结果表明联用技术可成功应用于芯片内部多晶硅烧毁或层间击穿的失效分析,解决热点定位误差和化学处理破坏结构的难题.
锁相红外热成像;集成电路;失效定位;失效分析;聚焦离子束
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TN219(光电子技术、激光技术)
2021-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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