10.3969/j.issn.1672-5468.2020.06.015
3D NAND中基于SEG高度失效模型的DPPM预测算法
3D NAND中工艺结构是导致器件失效的重要因素之一,其中,选择性外延生长(SEG)的生长高度也是导致失效的一个重要参数.因此,提出了一种新的关于SEG高度引起器件失效的模型/失效概率的计算方法,并由此计算预测每百万缺陷数(DPPM).该算法涉及多种数学模型如泊松分布、正态分布等,同时对3D NAND中不同层次的失效概率进行计算.根据该算法可以得到DPPM与SEG高度的关系,并对SEG高度最优值、DPPM对不同区域的SEG高度的敏感性进行了研究.
3DNAND、失效概率、选择性外延生长高度、每百万缺陷数、预测算法
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O211.3(概率论与数理统计)
2021-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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