10.3969/j.issn.1672-5468.2020.05.006
影响Y电容器击穿电压的因子探讨
耐电压是Y电容器的一个主要性能指标,而击穿电压则更能考核Y电容器的耐电压特性;采用MINITAB软件DOE全因子设计方案,对Y电容器芯片相关尺寸进行研究分析,找出了对Y电容器BDV影响显著的因子.结果表明,芯片银电极留边量、芯片厚度的影响最为显著,同时,芯片直径*留边量的交互作用对Y电容器BDV影响也是不容忽略的.
Y电容器、击穿电压、试验设计、因子、箱线图、方差分析
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TM53(电器)
2021-01-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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