10.3969/j.issn.1672-5468.2020.04.026
纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法新进展
回顾了纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法的新进展.首先,简单地介绍了5种传统的NBTI测试方法:准静态直流完整Id-Vg测试法、在线测试法、单点Id测试法、延伸厶测试法和超快脉冲测试法,并分别分析了他们各自的优缺点;然后,阐述了由于pMOSFET尺寸缩小到纳米尺度后带来的涨落效应对传统的NBTI测试方法的挑战;最后,详细地介绍了纳米pMOSFE上的3种考虑涨落的NBTI测试新方法,即随机电报噪声、时间相关缺陷谱和器件内部波动.
纳米PMOSFET、涨落、负偏压温度不稳定性
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TN47(微电子学、集成电路（IC）)
广东省重点领域研发计划项目No.2019B010145001
2020-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
118-125
