10.3969/j.issn.1672-5468.2019.05.011
功率放大芯片红外热分析探讨
准确地测试GaAs或GaN基功率放大芯片的沟道温度对于此类器件的热设计、性能评价和可靠性评价具有极其重要的意义.选取了一款GaAs基功率放大叠芯片为研究对象,在不同的工作条件下采用连续、高速探头测试其沟道温度,并分析对比了不同测试方法下的测试结果.研究结果可为功率放大芯片在热分析和热阻测试时测试方法的选择提供参考.
红外热分析、功率放大芯片、热阻
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TN722.7+5;TN219(基本电子电路)
2019-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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