10.3969/j.issn.1672-5468.2019.04.011
模拟CMOS集成电路SEL仿真验证研究
为了解决航天用模拟CMOS集成电路的单粒子闩锁效应的评估问题,结合一种基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的模拟CMOS集成电路单粒子闩锁仿真验证方法,并在此基础上,以某型8位抗辐照AD转换器芯片为研究对象,通过对该CMOS单元器件的抗单粒子闩锁能力进行仿真研究,可以确定该器件的抗单粒子闩锁能力高于75 MeV/mg·cm2,与实际的试验结果一致.
CMOS集成电路、单粒子闩锁、失效物理、仿真验证
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IP391.99
2019-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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