10.3969/j.issn.1672-5468.2019.04.003
温度循环应力下模拟IC封装失效的加速退化研究
针对模拟集成电路在温度循环应力下的封装退化过程进行了研究.设计了对应的加速退化试验,并根据其加速应力模型拟合分析了试验数据,得到了加速退化方程,推算出了日常应用条件下器件的贮存寿命.
模拟集成电路、温度循环应力、封装失效、加速退化试验
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TB114.37(工程基础科学)
2019-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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