10.3969/j.issn.1672-5468.2013.06.009
GaAs MMIC的热生成机制的建模与仿真方法
以GaAs基异质结双极性晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)为例,研究了器件内部的热生成机制,包括:确定器件内部的热生成机制及热生成区的位置,讨论器件内部热传导和热耗散的形式,建立器件的详细3D实体模型.利用有限元软件ANSYS WorkBench,对已确定的热生成区进行热功耗加载,以便更加精确地模拟器件的峰值结温.
热生成区、峰值结温、有限元仿真、单片微波集成电路、异质结双极性晶体管
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TN43;TP391.99(微电子学、集成电路（IC）)
2014-02-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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