10.3969/j.issn.1672-5468.2013.06.004
不同类型双极晶体管抗辐照性能的研究
对于制作工艺相同的NPN和LPNP两种类型的双极型晶体管进行了辐照实验,研究了不同类型双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应.实验结果表明:在相同的辐照总剂量下,LPNP型双极晶体管的归一化电流增益的下降比NPN型双极晶体管的下降多,说明LPNP型双极晶体管的辐照敏感性更强,这与NPN和LPNP这两种类型的双极晶体管的辐射损伤机理的不同有关.对于NPN型双极晶体管,电离辐照总剂量效应主要是造成氧化物正电荷的积累;而对于LPNP型双极晶体管,电离辐照总剂量效应主要是造成界面态密度的增加.
双极晶体管、电离总剂量效应、退火、氧化物正电荷、界面态
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TN322.8(半导体技术)
2014-02-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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