10.3969/j.issn.1672-5468.2013.06.003
中间电平对CMOS数字电路的影响
很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏.转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲的上下沿和双向I/O这几种状态所产生.对每一种状态的影响及其原因进行了详细的分析,给出了解决的方法.对电路设计、试验、测试和分析具有一定的参考价值.
互补金属氧化物半导体、数字集成电路、中间电平、大电流、影响
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TN386.1;TN432(半导体技术)
2014-02-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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