10.3969/j.issn.1672-5468.2013.04.003
光敏晶体管漏电流变大的失效分析与控制
论述了某光敏晶体管CE极之间漏电流变大的失效机理.通过对器件电性能测试、结构解剖、扫描电镜检查和能谱分析,证实了银离子迁移是导致该光敏晶体管CE极漏电变大的主要失效机理.从理论上阐述了银离子迁移的环境条件,从生产和使用两个方面提出了避免或减少银离子迁移的控制措施.
光敏晶体管、漏电流、银离子迁移、失效分析
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TN364+.3(半导体技术)
2013-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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