10.3969/j.issn.1672-5468.2009.01.008
硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索
首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索.测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性.通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论.分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散.
微波功率晶体管、参数退化、功率增益、饱和压降、击穿电压
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TN323+.4(半导体技术)
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金项目9140C030201060C0304
2009-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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