10.3969/j.issn.1672-5468.2007.06.006
GaAs PHEMT器件的失效模式及机理
归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移.
砷化镓晶体管、失效模式、失效机理
25
TN325(半导体技术)
2008-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
19-22
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10.3969/j.issn.1672-5468.2007.06.006
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25
TN325(半导体技术)
2008-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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