10.3969/j.issn.1672-5468.2007.06.005
基于失效机理的半导体器件寿命模型研究
微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法.而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型.不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的.详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较.
半导体器件、加速寿命试验、失效机理
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TN304.01(半导体技术)
2008-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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