10.3969/j.issn.1672-5468.2006.04.008
MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究
对MOS结构器件,要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有很多种,如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性.
界面态、氧化层陷阱电荷、电荷分离方法、辐照效应
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TN386.1(半导体技术)
国家自然科学基金6140438;国家重点实验室基金51433020101DZ1501
2006-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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