10.3969/j.issn.1672-5468.2006.04.003
SOI MOSFET器件的热载流子退化机理
介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理.研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁.虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展.
绝缘体上硅、热载流子注入效应、失效机理、可靠性
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TN386.1(半导体技术)
国家重点实验室基金51433020101DZ1504;国家重点实验室基金514330504DZ1502
2006-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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