10.3969/j.issn.1672-5468.2004.03.004
超薄栅氧化层中的软击穿的击穿机理和击穿模型
软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式.当氧化层厚度小于5 nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理.通过对国外软击穿研究状况的分析,对超薄栅氧化层中软击穿的失效模型和机理进行了综述.
超薄栅氧化层、软击穿、直接隧穿
TN386(半导体技术)
武器装备预研基金
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
18-22
10.3969/j.issn.1672-5468.2004.03.004
超薄栅氧化层、软击穿、直接隧穿
TN386(半导体技术)
武器装备预研基金
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
18-22
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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