10.3969/j.issn.1672-5468.2004.03.001
微电子生产工艺可靠性评价与控制
简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例.REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中,确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力.
可靠性评估、与时间有关的栅氧化层击穿、热载流子注入效应、电迁移效应、工艺过程控制
TN407(微电子学、集成电路（IC）)
2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1-5
