10.3969/j.issn.1672-5468.2004.02.003
高温恒定电场栅氧化层TDDB寿命测试方法研究
介绍了薄栅氧化层TDDB可靠性评价的高温恒定电场试验方法,并完成了E模型的参数提取,同时以MOS电容栅电流Ig为失效判据,对某工艺的MOS电容栅氧化层TDDB寿命进行了评价.该试验方法解决了在高温条件下对工作器件进行可靠性评价的问题,方法简便可靠,适用于亚微米和深亚微米工艺线的可靠性评价.
栅氧化层、可靠性评价、模型、参数提取
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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