10.3969/j.issn.1672-5468.2004.02.001
钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响
用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据.
栅-漏极电容-频率、高频电容-电压、栅-漏反向击穿电压、慢界面陷阱密度、钝化层
TN386.1(半导体技术)
国家重点实验室基金00JS03EZS0302
2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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