10.3969/j.issn.1672-5468.2003.05.010
硅加速度传感器芯片的优化设计研究
介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺.通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.
硅芯片、加速度传感器、优化设计
TP212(自动化技术及设备)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
42-44
10.3969/j.issn.1672-5468.2003.05.010
硅芯片、加速度传感器、优化设计
TP212(自动化技术及设备)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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