10.3969/j.issn.1672-5468.2002.05.002
MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理
介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点,并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性,说明了多层布线互连退化的模式和机理,以及防止互连退化的技术措施.实验分析表明,Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是,Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后,被氧化腐蚀,导致互连电阻增大,而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散,导致PI绝缘电阻下降.
多芯片组件、多层多属布线、通孔、退化
TN305.94(半导体技术)
2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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