10.3969/j.issn.1672-5468.2001.02.004
CMOS集成电路的ESD设计技术
首先论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术.包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等.采用适当的ESD保护技术,0.8μmCMOS集成电路的ESD能力可以达到3 000V.
互补金属氧化物半导体、集成电路、静电放电、技术、设计
TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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