10.16628/j.cnki.2095-8188.2020.07.003
基于碳化硅的高功率密度矩阵变换器
总结了矩阵变换器的主要电路拓扑和双空间矢量调制方式.针对四步换流法和两步换流法存在的问题,提出在碳化硅结型场效应晶体管(SiC-JFET)矩阵变换器中采用四步换流法、三步换流法和直接换流法相结合的换流方法.新一代SiC-JFET管具有高电压应力、低通态阻抗、高开关频率等特点,适合应用于如高功率密度矩阵变换器等场合.设计了基于1200 V/6 A SiC-JFET的直接式矩阵变换器样机,样机开关频率为200 kHz,功率密度为3 kVA/L,讨论了矩阵变换器样机的结构设计.实验结果证明,SiC-JFET适合应用于高开关频率、高功率密度矩阵变换器.
矩阵变换器、换流、碳化硅、结型场效应晶体管
TM464(变压器、变流器及电抗器)
2020-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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