10.16628/j.cnki.2095-8188.2017.22.009
双Buck逆变器损耗分析
针对双Buck半桥逆变器,分别分析了采用传统Si开关器件和新型宽禁带SiC开关器件情况下的损耗,并制作了1台1 kW试验样机.理论分析与试验结果表明,通过独立二极管续流的双Buck型逆变器能充分发挥宽禁带SiC开关器件优势,开关损耗明显降低;随着开关频率提高,SiC开关器件损耗增加不明显,说明SiC开关器件组成的双Buck型逆变器中随开关频率变化的损耗以磁性元件损耗变化为主.
双Buck逆变器、宽禁带SiC器件、磁性元件、损耗
TM464(变压器、变流器及电抗器)
福建省自然科学基金2016105154;福建省教育厅科技项目JAT160067
2018-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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