10.3969/j.issn.1001-5531.2015.13.001
热变形对射频同轴开关性能的影响分析
通过建立三维射频同轴开关的电磁-热-结构多物理场耦合仿真模型，得到了射频同轴开关在0～6 GHz 的插入损耗、稳态温升及其所导致的热形变量，进而分析了热变形对射频同轴开关射频性能的影响。分析结果表明，即使是相对内导体尺寸较小的热形变量，也会导致插入损耗发生明显变化。从而为射频微波器件设计人员的热特性设计工作提供参考指导。
热变形、射频同轴开关、多物理场耦合仿真、插入损耗
TM564(电器)
国家自然科学基金项目51407041；黑龙江省博士后资助项目LBH －Z12117；哈尔滨工业大学科研创新基金HIT．NSRIF．2014011
2015-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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