东芝2 200 V双碳化硅MOSFET模块助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社("东芝")推出业界首款2 200 V双碳化硅(SiC)MOSFET模块——MG250YD2YMS3.新模块采用东芝第3代SiC MOS-FET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250 A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500 V的应用.该产品已开始支持批量出货.
碳化硅mosfet、小型化、高效率、工业设备
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TN386;TM46;TM13
2023-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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