基于IBIS模型的FPGA总剂量效应建模方法
提出了 一种基于输入/输出缓冲区信息规范的FPGA的TID效应建模方法.将FPGA电路结构划分为3部分:输入缓冲区、输出缓冲区、逻辑功能区.缓冲区模型基于IBIS模型使用VHDL-AMS建立,功能区模型基于特定需求采用VHDL建立.针对基于IBIS模型的建模需要,测量了 FPGA在0 krad(Si)、820 krad(Si)和2.52 Mrad(Si)的IBIS模型和端口电平数据.通过对比仿真结果和试验结果,验证了所建模型能够反映FPGA受TID效应影响后的电平转换时间变长现象,结果误差在30％以内.所提建模方法为评估数字器件的TID效应提供了模型支撑,对数字系统抗辐射加固具有一定参考意义.
FPGA、总剂量效应、IBIS模型、混合信号模型、电平转换时间
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TP31(计算技术、计算机技术)
2023-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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