同步BUCK变换器中MOSFET选型应用研究
介绍了一种以损耗分析为依据的MOSFET选型方法.基于栅极驱动的二阶模型对不同栅极电阻下MOSFET导通时间产生的损耗进行了对比分析,同时完成了印制板寄生电感、开关频率等栅极驱动影响因素的仿真验证.对同步BUCK变换器中MOSFET选型应用进行分析与实验,结果表明该方法可用于工程实践中MOSFET选型及驱动设计分析,可以有效提高MOSFET设计的可靠性.
损耗分析、栅极驱动、同步BUCK变换器、MOSFET选型
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TN386(半导体技术)
2019-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
75-77,81
