R5F104BC单片机Flash中数据存储方法研究
为了减少微处理器内部集成的用于模拟非易失性RAM数据区域的Flash擦除次数,提升存储数据访问效率和延长器件使用寿命,以R5F104BC单片机为例,提出了三种存储方法,给出具体的实现算法和软件实现过程,在访问速度与实现代码大小之间实现平衡.在实际应用中,编程人员可以根据具体情况,很方便和快捷地将本方法移植到其他的内部集成了Flash的微处理器上.
闪存、非易失性存储器、链表、R5F104BC
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TP331(计算技术、计算机技术)
国家高新技术研究发展计划863计划2013AA03A106
2016-07-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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