单片机的电磁抗扰度仿真与实验研究?
针对单片机的电磁兼容问题，采用了实验和仿真相结合的方式，研究了单片机的电磁抗扰度。首先利用 DPI法测试单片机的电磁抗扰度，其次提出了一种基于DPI的单片机电磁抗扰度 ICEM模型，利用 IC EMC仿真软件在不同的频率下对单片机的内核电压进行仿真，结果表明在低频段仿真结果和实验测试结果一致性较好，使用该模型可以对单片机的电磁抗扰度进行预测。
电磁兼容、DPI、电磁抗扰度
TP2115(自动化技术及设备)
国家国际科技合作专项项目2012DFR80740;交通运输部西部交通建设科技项目2011318221360
2015-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
19-21,25
