10.3969/j.issn.1009-623X.2007.09.021
平均读写算法在闪存中的应用研究
@@ 1 Flash存储器结构及特性
Flash存储器是在EPROM和EEPROM的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失性存储元件.1983年,Intel公司提出了EPROM隧道氧化层ETOX(EPROM Tunnel Oxide)原理,1988年推出了第一块可快速擦写的非易失性"或非"(NOR)型Flash存储器.随后,Toshiba公司又推出了基于Fowler Nordheim的冷电子擦除原理和"与非"(NAND)型Flash存储器.
算法、闪存、应用研究、存储器、非易失性、隧道氧化层、结构及特性、原理、技术基础、存储元件、可擦除、制造、电子
TP3(计算技术、计算机技术)
2007-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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