耐电晕试验用高速脉冲电源的分析与设计
漆包线耐电晕试验用脉冲电源对电压变化率要求高,现有普通电源难以满足要求.提出一种漆包线耐电晕试验用高速脉冲电源设计.建模分析各元件参数和电路主要参数;选用耐高压的绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)以提高H桥输出电压;利用栅极电阻的阻值调节脉冲的上升/下降时间.仿真和实验表明,所设计的高速脉冲电源的电压变化率(dv/dt)为30 kV/us,即输出电压峰峰值3 kV的情况下,电压上升时间和下降时间为100 ns.
耐电晕、高速脉冲、30 kV/us、IGBT
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TN702(基本电子电路)
2017-08-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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