10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.032
半导体器件内离子有效LET值测量方法研究
提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与人射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收集测试系统,利用PN结和SRAM对测量方法进行了验证;最后成功利用该方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常.
单粒子效应、电荷收集、有效LET值、SRAM
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TL84;O571.6(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)
国家安全重大基础研究计划子专题6132240302-1;国家自然科学基金青年基金11105230
2019-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2546-2550
