10.3969/j.issn.0372-2112.2017.11.031
YON界面钝化层改善HfO2/Ge界面特性的研究
本文采用YON界面钝化层来改善HfO2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor (MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N2氛围中溅射Y2O3靶直接淀积获得以及先在Ar+N2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形成YON.实验结果及XPS的分析表明,后者可以利用YN在退火过程中先于Ge表面吸收从界面扩散的O而氧化,从而阻挡了O扩散到达Ge表面,更有效抑制了界面处Ge氧化物的形成,获得了更优良的界面特性和电特性:较小的CET(1.66 nm),较大的k值(18.8),较低的界面态密度(7.79 ×1011 eV-1cm-2)和等效氧化物电荷密度(-4.83×1012 cm-2),低的栅极漏电流(3.40×10-4 A/cm2@Vg=Vfb+1 V)以及好的高场应力可靠性.
Ge金属-氧化物-半导体、界面钝化层、YON、界面态密度
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TN304.2(半导体技术)
国家自然科学基金61274112,61176100,61404055
2018-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2810-2814
