10.3969/j.issn.0372-2112.2016.11.014
RTL综合中FPGA片上RAM工艺映射
RAM（Random-Access-Memory，随机存储器）是FPGA（FieldProgrammableGateArrays）片上最重要的宏单元之一，RTL（Register-Transfer-Level）综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作用。本文针对RTL综合中RAM源描述和目标结构多样化带来的技术难题，提出了一种RAM工艺映射方法，即建立工艺无关的RAM统一模型，在模型基础上通过建模、模式匹配、造价计算、绑定四步实现。该方法应用于RTL综合，可以将多种RAM源描述有效地映射到最佳类型和数量的FPGA片上RAM资源。实验数据表明采用该方法实现的RAM工艺映射效果和主流FPGA综合工具———Synplify和XST相当，该模块已经集成在自主开发的RTL综合工具———Hqsyn中并实现商用。
现场可编程门阵列、寄存器传输级综合、片上随即存储器、工艺映射
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TN47(微电子学、集成电路（IC）)
国家重大专项02专项Y1GZ212002
2016-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
2660-2667
