10.3321/j.issn:0372-2112.2009.11.030
超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究
提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构.基于异质结电流输运机制,该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流.与少子寿命控制技术相比,该器件有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间三者之间的矛盾.对不同温度下器件反向恢复特性研究结果表明,SiGeC二极管的反向恢复时间与同结构SiGe二极管相比,350K时缩短了1/3,400K时缩短了40%以上,器件的热稳定性显著提高,降低了对器件后续制作工艺的限制,有益于功率集成.
硅锗碳、超低漏电流超快恢复、热稳定性
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TN313~+.4(半导体技术)
国家自然科学基金50477012;高等学校博士学科点专向科研基金20050700006
2010-01-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2525-2529
