10.3321/j.issn:0372-2112.2009.11.028
MEMS光栅光调制器与CMOS驱动单片集成的研究
为了消除光栅光调制器阵列的交叉效应,提出利用post-CMOS工艺将光栅光调制器与CMOS驱动单片集成.介绍了单片集成器件的工作原理,详细分析了单片集成器件的关键参数.通过分析表明,在满足调制器响应频率条件下,通过改变悬臂梁的各个参数可以减小调制器的弹性系数,从而降低光栅光调制器的工作电压;在满足开关速度的条件下,较大存储电容具有更好的电压保持特性.利用中芯国际提供的0.18μm工艺设计包完成该单片集成器件的物理版图设计和仿真.最后,通过实验测得该器件的上升沿和下降沿时间分别为:36.8ns和36.4ns,且经过16.73ms的保持时间后压降为2.1v.实验结果与仿真结果具有较好的一致性,结果表明:加工的单片集成器件具有较快的开关速度和较好的电压保持特性,能够满足设计要求.
微机电系统、光栅光调制器、CMOS驱动电路、单片集成
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TN29;TN402(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金60708017;重庆市院士基金CSIE,2008BC3002
2010-01-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
2515-2519
