10.3321/j.issn:0372-2112.2009.11.016
低偏压分子电子器件的电导规律
采用简化的对称势垒连续隧穿模型模拟复合分子线电子器件低偏压下电子隧穿过程,并由电子透射谱随垒宽、垒距、垒高及电子有效质量的变化规律推断低偏压下分子器件的电导规律.结果发现:随着势垒增宽或增高,分子器件的低偏压电导G明显变小;但是随着垒距或电子有效质量增大,则分子器件的低偏压电导G反而变大.这表明可以通过适当的控制方式(如改变复合分子组成、构型等)来修改分子电子器件的低偏压输运性质.
分子器件、对称势垒模型、电子透射谱、低偏压电导
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TN6(电子元件、组件)
国家自然科学基金60771059;湖南省教育厅科技重点项目08A005;长沙理工大学重点学科建设项目
2010-01-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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